MOSFET K2611 2SK2611 TO-3P 9A 900V (Kênh N)
Thông số kỹ thuật:
Kết quả hình ảnh cho K2611

Điện áp đánh thủng: 900V.
Điện áp VGS = +/-30V
Dòng chịu đựng trung bình: 11A.
Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC
Công suất: 300W
Datasheet:
http://www.winsemi.com/upload/20131109021218_8421.pdf