Nhà sản xuất: Diodes Incorporated Danh mục Sản phẩm: MOSFET   RoHS:     Công nghệ: Si Kiểu gắn: SMD/SMT Đóng gói / Vỏ bọc: SOT-23-3 Cực tính transistor: N-Channel Số lượng kênh: 1 Channel Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 60 V Id - Dòng cực máng liên tục: 2.5 A Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 85 mOhms Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: - 20 V, + 20 V Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 1 V Qg - Điện tích cực cổng: 12.3 nC Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 55 C Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C Pd - Tiêu tán nguồn: 1.15 W Chế độ kênh: Enhancement Sê-ri: Đóng gói: Reel Đóng gói: Cut Tape Đóng gói: MouseReel Nhãn hiệu: Diodes Incorporated   Cấu hình: Single   Thời gian giảm: 11 ns   Chiều cao: 1 mm   Chiều dài: 3 mm   Sản phẩm: Enhancement Mode MOSFET   Loại sản phẩm: MOSFET   Thời gian tăng: 4.1 ns   Số lượng Kiện Gốc: 3000   Danh mục phụ: MOSFETs   Loại transistor: 1 N-Channel   Loại: Enhancement Mode MOSFET   Thời gian trễ khi tắt điển hình: 35 ns   Thời gian trễ khi bật điển hình: 3.5 ns   Chiều rộng: 1.4 mm   Đơn vị Khối lượng: 8 mg Giá sản phẩm trên Tiki đã bao gồm thuế theo luật hiện hành. Bên cạnh đó, tuỳ vào loại sản phẩm, hình thức và địa chỉ giao hàng mà có thể phát sinh thêm chi phí khác như phí vận chuyển, phụ phí hàng cồng kềnh, thuế nhập khẩu (đối với đơn hàng giao từ nước ngoài có giá trị trên 1 triệu đồng).....